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沈阳HMC394LP4微波射频 RF微波器件 质量保证 型号齐全

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沈阳HMC394LP4微波射频 RF微波器件 质量保证 型号齐全

Wolfspeed的cghv35120f是一种氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(Hemt),专门为高效率、高增益和宽带宽能力而设计,使cghv35120f非常适合3.1-3.5GHz雷达放大器应用。特征50欧姆匹配55 W(脉冲宽度=100μs,占空比=10%)典型Pout31分贝典型小信号增益28 V操作晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。
沈阳HMC394LP4微波射频
Qorvo的QPA2210D是一个Ka波段功率放大器,工作频率为27至31GHz。它提供7 W的饱和输出功率,功率增加效率为32%。该功率放大器的线性功率为2.5W,具有-25dBc互调失真产品和25dB的小信号增益。它是在Qorvo的0.15um Gan-on-SiC工艺(QGan15)上制造的。本PA是一种尺寸为2.74 x 1.432 x 0.050 mm的模具,非常适合支持卫星通信和5G基础设施。
CREE的CMPA525025F是一种氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(Hemt),专门为高效率、高增益和宽带宽能力而设计,使CMPA525025F非常适合5.2-5.9GHz雷达放大器应用。晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。
CMPA601C025F Gan Hemt MMIC放大器提供从6到12GHz的瞬时带宽的25瓦功率。氮化镓HEMT MMIC封装在热增强的10铅陶瓷封装中。这提供了一个高功率6至12千兆赫,高效率放大器在一个小封装在50欧姆。
沈阳HMC394LP4微波射频
Wolfspeed的CGHV96050F1是一种在碳化硅(SiC)基板上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其他技术相比,这种氮化镓内部匹配(IM)场效应晶体管具有**的功率附加效率。与硅或砷化镓相比,氮化镓具有更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与砷化镓晶体管相比,氮化镓HEMTs还提供更大的功率密度和更宽的带宽。该im-fet采用金属/陶瓷法兰封装,以获得*佳的电气和热性能。
Wolfspeed的CG2H30070F是一种氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(Hemt)。它有一个输入匹配,可以在0.5-3.0GHz范围内提供*佳的瞬时宽带性能。与硅或砷化镓相比,氮化镓具有更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与硅和砷化镓晶体管相比,氮化镓Hemt还提供更大的功率密度和更宽的带宽。该装置采用2铅金属/陶瓷法兰封装,以获得*佳的电气和热性能。
Qorvo的TGA2239-CP是一款3级,50W功率放大器,工作频率范围为13.4至15.5GHz。 该高性能放大器采用Qorvo生产的0.15um GaN on SiC技术制造,提供> 30dB的小信号增益和> 31%的PAE,使系统设计人员能够以经济高效的方式实现**的性能水平。
沈阳HMC394LP4微波射频
Qorvo的TGA2595是一款平衡Ka波段功率放大器,采用Qorvo的0.15um GaN on SiC工艺制造。 平衡配置支持低回波损耗,并提高了对非理想负载的鲁棒性。工作频率范围为27.5至31 GHz,饱和输出功率为9 W,功率附加效率为22%,信号增益为30 dB。 除了出色的线性特性外,TGA2595还非常适合支持商业和国防相关的卫星通信。

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组织机构代码 050497860 注册资本 100万人民币
营业期限 2012-07-23至2022-07-23 经营状态 存续
公司类型 有限责任公司 成立日期 2012-07-23
法人代表 唐焱 注册机构 深圳市市场监督管理局
经营范围 电子元器件、电子产品的技术开发与销售;国内贸易,货物及技术进出口(法律、行政法规、国务院决定规定在登记前须经批准的项目除外)。^
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