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辛集县蚀刻|贝尔电子|IC引线框架蚀刻

电子项目合作辛集县蚀刻|贝尔电子|IC引线框架蚀刻

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辛集县蚀刻|贝尔电子|IC引线框架蚀刻

  精密图形蚀刻系数的补偿修正

  蚀刻机和显影机有某些类似,但蚀刻机后面都附有抗蚀剂剥离装置。蚀刻和前面所讲的湿式处理工序不完全相同,在蚀刻过程中柔性印制板的机械强度会发生较大变化,这是因为大部分铜箔被蚀刻掉,所以更加柔软,因此在设计用于柔性印制板的蚀刻机时,对此要特别注意。可靠的柔性印制板制造用流水线,指的是经过蚀刻的柔性板在没有导向牵引板的条件下,也必须能够顺利地进行传送。

  考虑精密图形的蚀刻时既要注意蚀刻装置和其他工艺条件,也应按照蚀刻系数对原图进行补偿修正。就是所有的工艺条件都一样,线路密度大的部位和线路密度小的部位的蚀刻系数也是不同的。线路间距小的部位和线路间距大的部位相比,新旧蚀刻液交换不良,所以蚀刻速度慢。设计宽度相同的线路,如果在同一块制板中所处的线路密度不同,蚀刻时就有可能出现高密度区的导线还未蚀刻分开,而低密度区的电路可能因为侧蚀,造成导线变细甚至断线,这种情况要想完全依靠蚀刻设备和蚀刻工艺条件解决是有难度的。为了解决这一问题,事先可对每种线路密度进行试验求出蚀刻系数,在制作原图时进行补偿修正,对于密度差别大的精密线路还要进行实际蚀刻加工后根据蚀刻情况进行修正,有时需要经过2~3次的修正。这虽然很琐碎,但对保证高密度线路的蚀刻精度、稳定工艺是十分重要的。从提高材料利用率角度考虑,在制板与图形之间的宽度越小越好,但要稳定传送,在制版的边缘宽度要尽可能宽一些,拼版之间的间隔也大一点。

 


平面蚀刻加工不锈钢薄材产品一般由于产品和材料之间必须有相连的部份,我们称之为蚀刻钢片的连接点。

蚀刻钢片的连接点因材料厚薄,产品设计等因素,连接点可大可小,一般应设计成小于0.5mm宽大小。设计时可以对连接点部份的钢片进行半蚀刻,以减少产品和钢片之间的连接力度,以利于拆解。

蚀刻钢片的连接点分为凸出式和内凹式。

凸出式连接点会形成一个极小的毛剌,需要后期进行打磨或研磨。一般针对厚材不锈钢蚀刻产品。如标牌,铭牌,警示牌,地铁地线标专等。有些要求不高的产品,可以不经过打磨。


  湿式蚀刻工艺提高LED光萃取效率之产能与良率

  蓝宝石基板蚀刻图形化(PPS)可以有效增加光的萃取效率,因为藉由基板表面几何图形之变化,可以改变LED的散射机制,或将散射光导引至LED内部,进而由逃逸角锥中穿出。目前使用单步骤无光罩乾式蚀刻技术(Maskless Dry Etching)来加工蓝宝石(Sapphire)基板,虽然可以改善内部量子效率(Internal Quantum Efficiency)和光萃取率(Light Extraction Efficiency),然而由于蓝宝石基板表面非常坚硬,乾式蚀刻会损伤蓝宝石表面,使得线差排(Thread Dislocation)由基板逐渐延伸到顶端的GaN磊晶层,因而影响到LED之磊晶品质,所以一般都倾向使用湿式化学蚀刻方式。有关蓝宝石基板之湿式化学蚀刻图形化,以及LED之前段工艺流程,说明如下:

  A. 首先利用黄光微影工艺在蓝宝石基板上制作出所需的图案。

  B. 利用电浆辅助化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; PE-CVD)系统在蓝宝石基板上方沉积SiO2,进行光组去除后,即可形成间隔3μm的阵列图案。

  C. 利用SiO2当作蚀刻遮罩层,在温度280℃的高温磷酸与硫酸混合液中蚀刻蓝宝石基板,以形成图案化结构。图2为使用湿式化学蚀刻蓝宝石基板(PSS)后之横截面示意图;图3为光学显微镜照片。

       D. 使用MO-CVD生长GaN-LED于蚀刻图案化之蓝宝石基板C(0001)面上,GaN-LED结构由下而上,包括:GaN成核层、未掺杂的GaN层、硅掺杂的N-type GaN层、MQW层及P-type GaN层。 E. 使用标准微影技术及乾式蚀刻来蚀刻部份的P-type GaN层,以露出N-type GaN层,进而定义发光区域及电极。

 

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