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FQP4P40/-400V/-3.5A/FSC仙童/P沟道功率MOS管

FQP4P40价格优势,原装现货

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吴妙霞
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135 3761 8517 077-23946783
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品牌:FSC型号:FQP4P40种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:L/功率放大
封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GE-N-FET锗N沟道

FQP4P40/-400V/-3.5A/FSC仙童/P沟道功率MOS管

FQP4P40/-400V/-3.5A/FSC仙童/P沟道功率MOS管

 

型号品牌封装批号备注
FQP4P40FSC仙童TO-22016+original全新原装

FQP4P40 P沟道QFET? MOSFET -400 V、-3.5 A、3.1Ω

FQP4P40规格书

FQP4P40图片

FQP4P40概述

This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.

该P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。

这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。

这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

FQP4P40特点

? -3.5 A, -400 V, RDS(on) = 3.1 ? (Max.) @ VGS = -10 V, ID = -1.75 A 

? Low Gate Charge (Typ. 18 nC) 

? Low Crss (Typ. 11 pF) 

? 100% Avalanche Tested

-3.5 A、-400 V、RDS(on) = 3.1Ω(值),需 VGS = -10 V、ID = -1.75 A栅极电荷低(典型值:18nC)

低 Crss(典型值11pF)

100% 经过雪崩击穿测试

FQP4P40原理图

额定参数TC = 25°C除非另有注明

包标记和订购信息

 

联系方式:

公司:深圳市雅迪斯电子有限公司

地址:广东省深圳市福田区华强北深南中路3018号世纪汇

联系人:吴先生:吴小姐

电话:0755-23946783/88600801

手机:18038114430/13537618517

传真:0755-88600656

企业QQ:2881724888/2881724881


来源:深圳市雅迪斯电子有限公司

网址:http://www.ydsic.com/

http://www.fairchildic.cn/news/?122_837.html


供应商信息
深圳市雅迪斯电子有限公司,成立于2014年。十馀载的专业经营,本着忠诚客户、诚信待人的宗旨,以满足客户需求并超越为目标。一直以现货、庞大的库存和优惠价格为保障。香港、深圳分别设有公司,代为客户在香港、大陆两地交货,为客户提供更多的便利。MOS管厂家代理,MOS管 NXP品牌代理。 查看更多 >
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主营行业 场效应管集成电路(IC)三极管二极管可控硅(晶闸管)其他LED系列产品
注册资本 无需验资
公司所在地 广东 深圳 福田区 都会轩1913室
联系方式
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深圳市雅迪斯电子有限公司
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传 真|077-88600656
地 址|广东 深圳 福田区 都会轩1913室
公司主页|www.ydsic.com/index.asp
广东 深圳 广东 深圳 福田区 都会轩1913室 深圳市雅迪斯电子有限公司
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